Shrnutí návrhu

Obsah

1. Semiconductor devices - Performance evaluation of semiconductor processing components and inspection equipment - Part 4: Evaluation methods for dimensional accuracy of laser dicing process 0 Připomínky
2. FOREWORD 0 Připomínky
3. INTRODUCTION 0 Připomínky
4. 1 Scope 0 Připomínky
5. 2 Normative references 0 Připomínky
6. 3 Terms and definitions 0 Připomínky
   1. 3.1 laser dicing 0 Připomínky
   2. 3.2 desired cutting line 0 Připomínky
   3. 3.3 scribe line 0 Připomínky
   4. 3.4 (actual) cutting line 0 Připomínky
   5. 3.5 straightness 0 Připomínky
   6. 3.6 taper 0 Připomínky
   7. 3.7 sidewall profile 0 Připomínky
   8. 3.8 chipping 0 Připomínky
   9. 3.9 sidewall flatness 0 Připomínky
7. 4 Procedures of laser dicing 0 Připomínky
   1. 4.1 Laser scribing 0 Připomínky
   2. 4.2 Backside grinding 0 Připomínky
   3. 4.3 Die separation 0 Připomínky
   4. Figure 1 – Schematic for typical procedures of the laser dicing process 0 Připomínky
8. 5 Die preparation for test 0 Připomínky
   1. 5.1 Wafer selection 0 Připomínky
   2. 5.2 Test specimen 0 Připomínky
   3. Figure 2 – Schematic of the test specimens in the diced wafer 0 Připomínky
9. 6 Test items for dimensional accuracy 0 Připomínky
   1. 6.1 Straightness 0 Připomínky
      1. 6.1.1 Measurement setup 0 Připomínky
      2. 6.1.2 Evaluation of straightness 0 Připomínky
      3. Figure 3 –Top view of desired cutting line and actual cutting line 0 Připomínky
      4. Figure 4 – Evaluation of straightness and offset 0 Připomínky
      5. Table 1 – Symbols and designations for evaluation of straightness of the singulated dies 0 Připomínky
   2. 6.2 Sidewall quality 0 Připomínky
      1. 6.2.1 Measurement setup 0 Připomínky
      2. 6.2.2 Evaluation of taper 0 Připomínky
      3. Figure 5 – Evaluation of taper 0 Připomínky
      4. 6.2.3 Evaluation of sidewall flatness 0 Připomínky
      5. Figure 6 – Evaluation of sidewall flatness 0 Připomínky
      6. Table 2 – Symbols and designations for evaluation of sidewall quality of the singulated dies 0 Připomínky
   3. 6.3 Chipping 0 Připomínky
      1. 6.3.1 Measurement setup 0 Připomínky
      2. 6.3.2 Evaluation of chipping 0 Připomínky
      3. Figure 7 – Evaluation of chipping 0 Připomínky
      4. Table 3 – Symbols and designations for chipping of the singulated dies 0 Připomínky
10. 7 Test report 0 Připomínky
    1. 7.1 Wafer specification 0 Připomínky
    2. 7.2 Laser dicing process parameters 0 Připomínky
    3. 7.3 Measurement conditions 0 Připomínky
    4. 7.4 Dimensional accuracy evaluation 0 Připomínky
11. Annex A (informative) Market relevance for the need of the standard 0 Připomínky
    1. Figure A.1 – Evolution of die singulation process of silicon wafer in semiconductor industry 0 Připomínky
12. Annex B (informative) An example for the test report 0 Připomínky
    1. Table B.1 – Test report 0 Připomínky
    2. B.1 Test specimen 0 Připomínky
    3. Figure B.1 – Test specimen location 0 Připomínky
    4. B.2 Straightness evaluation 0 Připomínky
    5. Figure B.2 – An optical microscope image for straightness evaluation 0 Připomínky
    6. B.3 Taper evaluation 0 Připomínky
    7. Figure B.3 – A scanning electron microscope image for taper evaluation 0 Připomínky
    8. B.4 Sidewall quality evaluation 0 Připomínky
    9. Figure B.4 – A scanning electron microscope image for sidewall quality evaluation 0 Připomínky
13. Bibliography 0 Připomínky